第80届中国电子展(80th China Electronics Fair )与上届回顾

导读：第8电4k电视尚未普及，8k电视就发布了。

尽管总数量令人可喜，中国展但是其中独立研究的工作却仅有6篇，这说明我们国家的独立科研水平能力还有待提高。16岁上大学，上届28岁成为中科院金属研究所研究员，上届36岁被任命为中科院金属研究所所长，38岁当选中国最年轻的中科院院士，41岁成为美国《科学》杂志创刊以来第一位担任评审编辑的中国科学家。

回顾研究成果分别获评2014年和2016年度中国十大科学进展。 主要从事能源高效转化相关的表面科学和催化化学基础研究，第8电以及新型催化过程和新催化剂研制和开发工作。中国展在天然气（甲烷）直接转化制高值化学品和煤基合成气直接制低碳烯烃等研究领域取得重要研究进展。

上届(4)生物医学传感与治疗。回顾2016年入选英国皇家化学会会士。

2014年获得北京大学王选青年学者奖，第8电同年，应邀担任英国皇家化学会期刊CatalysisScienceTechnology副主编。

欢迎大家到材料人宣传科技成果并对文献进行深入解读，中国展投稿邮箱[email protected]。上届图5.基于低维材料的FinFET和GAAFET性能。

回顾图2. 增加栅极数目将抑制短沟道效应。一、第8电导读自20世纪60年代以来，第8电金属-氧化物-半导体场效应晶体管（MOSFET）的特征尺寸按照摩尔定律的指引已经缩小到纳米尺度，通过实现更小、更快、更低功耗的器件，将进一步有效增加芯片上晶体管的集成密度。

该团队总结了目前器件的性能，中国展指出联合低维材料技术和三维器件技术将可能带来满足后摩尔时代要求的高集成度、低功耗器件和系统（图5）。上届图6.使用低维材料作为沟道的器件的载流子迁移率和等效氧化层厚度。